分子泵組應(yīng)用于脈沖激光沉積系統(tǒng) PLD

時間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：134

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• 氦質(zhì)譜檢漏儀真空鍍膜配氣面板檢漏

  氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340?真空鍍膜配氣面板檢漏上海伯東某客戶生產(chǎn)高純度特種氣體不銹鋼減壓閥門, 接頭, 管件, 這些配件主要用于集成在真空鍍膜配氣面板, 實(shí)現(xiàn)工藝氣體的傳輸. 為了防止氣體外泄, 除了閥門, 接頭, 管件需要單檢漏外, 整個配氣面板也需要測試整體漏率, 使用上海伯東德國 Pfeiffer?氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340, 真空模式下, 漏率設(shè)置為 5.5x

• KRI 霍爾離子源應(yīng)用于黑膜鍍制

  ? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠(yuǎn)紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術(shù).?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應(yīng)用前景.?如可在精密光學(xué)儀器和光學(xué)零件、醫(yī)療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產(chǎn)品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產(chǎn)

• 美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用

  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam 鍍膜機(jī)

  某品牌?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機(jī)系統(tǒng)采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時外系統(tǒng)停機(jī)時不破壞系統(tǒng)真空,?只要對泵內(nèi)部進(jìn)行破真空即可.E-Beam?鍍膜機(jī)設(shè)備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室,?電子,?進(jìn)樣室