【進口吸收電容】薄膜電容的吸收系數(shù)

時間：2025-05-15作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：1198

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  詞條說明

• 進口可控硅模塊型號怎么選擇

  # 如何正確選擇可控硅模塊型號可控硅模塊作為電力電子領(lǐng)域的重要元器件，其選型直接關(guān)系到設(shè)備的穩(wěn)定性和使用壽命。面對市場上琳瑯滿目的進口可控硅模塊型號，工程師常常感到無所適從。電壓和電流參數(shù)是選擇可控硅模塊的首要考量因素。模塊的額定電壓應(yīng)至少高于實際工作電壓的1.5倍，以應(yīng)對電網(wǎng)波動和瞬態(tài)過電壓。電流參數(shù)則需要根據(jù)負(fù)載特性確定，考慮啟動電流、過載能力等因素。值得注意的是，不同品牌對電流參數(shù)的標(biāo)注方式

• 熔斷器與斷路器的區(qū)別

  1、保護方式不同熔斷器的保護方式是采用了熔斷形式，而當(dāng)排除了故障現(xiàn)象之后是需要重新對它更換熔體才可以恢復(fù)供電，因此來講在維護時比較不太方便。斷路器的保護方式是采用了跳閘形式，在排除故障以后只需要通過合閘動作就能恢復(fù)正常供電，所以在維護和恢復(fù)上來講會比熔斷器方便許多。2、動作速度不同熔斷器的熔斷動作速度是可以達到微秒（μs）等級，也就是說它的速度相比較斷路器來講要快上很多，這種能力通常比較適用于有類

• 【整流橋模塊廠家】測試可控硅模塊的升溫3個方法

  可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要我們了解測試可控硅模塊的升溫方法：1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高，溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時進行。2、可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升，℃。

• 英飛凌各代IGBT模塊技術(shù)詳解

  # IGBT模塊技術(shù)的演進與未來趨勢## IGBT技術(shù)發(fā)展歷程IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊技術(shù)自問世以來經(jīng)歷了多次重大革新。早期產(chǎn)品采用平面柵結(jié)構(gòu)，開關(guān)速度相對較慢，導(dǎo)通損耗較高。隨著工藝進步，溝槽柵技術(shù)應(yīng)運而生，顯著降低了導(dǎo)通壓降，提高了開關(guān)頻率。第三代IGBT引入場終止技術(shù)，使芯片厚度大幅減小，同時保持了良好的阻斷電壓能力。近年來出現(xiàn)的第七代IGBT模塊在功率密度方面取得突破，單位面積電