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制造LED芯片所使用的金屬**物化學氣相沉積(MOCVD)設備主要由德國和美國兩家公司供貨,生產觸摸屏所用的玻璃基板主要由美國和日本的幾大廠商控制,**半導體發光器件的發光材料**主要掌握在日本與韓國廠商的手中…… 目前,我國在關鍵性電子元器件方面雖多年攻關仍舉步維艱,那么,問題到底出在哪兒? “這里已經沒有理論和設計問題了。”中國科學院電子學研究所研究員郭開周近日接受《中國科學報》記者采訪時說,
?在阿爾卑斯山脈的輸電塔群中,架設著長的柔性直流輸電工程。這座連接德國與奧地利的能源大動脈,控制器件不是常見的IGBT模塊,而是一組組經過特殊設計的晶閘管閥組。這個工程案例揭示了一個被忽視的:在新能源浪潮中,誕生于1957年的可控硅(SCR)技術正在經歷著的進化,持續發揮著的作用。??一、新能源電源系統的架構?現代新能源電力系統已突破傳統發輸配用模式,形成多
今年全球半導體營收預料加速成長 晶片制造商收購較小的對手提升其市占率
根據研究機構**數據資訊(IDC),今年**半導體營收預料加速成長,促使規模較大的晶片制造商收購較小的對手,以提升其市占率。 IDC發布聲明稿指出,今年半導體業整體營收成長率可能介于6%至7%之間。 IDC表示,在行動裝置采用的晶片訂單涌現,抵銷電腦相關晶片營收衰退的情況下,去年**半導體業營收成長3.7%,來到3010億美元。 根據IDC說法,在去年高通公司(QualcommInc.)買下創銳訊
###?單向可控硅BT169D性能解析與應用實踐####?性能特征BT169D作為平面型塑封單向可控硅,其技術參數展現出的工程定位。在25℃環境溫度下,器件維持400V重復峰值電壓(VRRM)與4A通態平均電流(IT(AV))的平衡設計,浪涌電流承受能力達到40A(50Hz/10ms)。觸發特性方面,門觸發電流(IGT)典型值0.2mA,觸發電壓(VGT)不過1.5V,適用于低
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