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Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有大的電容量。但它的電容量受環境和工作條件影響較大,它的老化率大可達每10年下降5%。 盡管它的容量不穩定,由于它具有小體積、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)低、良好的頻率響應,使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在
今天來分享下貼片功率電感的發展趨勢。 隨著可攜式裝置如智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)等輕薄短小的需求帶動,被動組件也隨之走向微型化,但電感的原理為透過中間的彈簧線圈,將能量以磁場的形式轉變,因此可抵抗電流變化,又不消耗電能;然而,彈簧線圈體積越是縮小,會使電感失去其本身的特性,因此在原有的技術上,繞線電感縮小體積是有其極限的。 工業制造者解決的方案為改變制程
抗腐蝕的干式陶瓷電容壓力傳感器沒有液體的傳遞,過程壓力直接作用在陶瓷膜片的前表面,襯底的電極與膜片電極的電容量變化比例與壓力大小,電容的變化值經激光微調,傳感器**信號調理電路ASIC放大輸出高達4000mV的直流電壓,內置的溫度傳感器不斷測量介質的溫度并進行溫度補償。 過載時,膜片貼到陶瓷襯底上而不會損壞。當壓力恢復到正常時,其性能不受任何影響。解決了低量程過載能力差的缺點,是擴散硅傳感器的升
類似半導體產業或者薄膜物理這種任意面積遠大于厚度的情形中,貼片RB薄膜有著廣泛的應用。晶片上常用堆積有納米級厚度的薄膜,如果要注意這些薄膜的電阻阻值,就需要使用到薄膜RB電阻這一概念了比方,發光二級體的制造中,二較體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二較體的發光效率,所以需要將金屬半導體的接觸電阻小化,利用傳輸線模型丈量法以及四腳探針丈量法,就能夠確定金屬下方半導體層的薄膜電阻
公司名: 深圳市新晨陽電子有限公司
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電 話: 0755-28682867
手 機: 15622766976
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